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晶圆宏观缺陷检测
高速宏观缺陷检测 - Argos系列MueTec的宏观缺陷检测系统是为有较多不同类型产品的客户设计。该系统操作简单，无需编写Recipe，能在光刻过程中实现100%晶圆检测。MueTec的产品能使客户从抽样检测过渡到对晶圆的全检，从人工检测过渡到统计上可靠的自动化检测。我们的设备占用空间较小，易于调试，较低的设备开销和维护费用可为客户带来较快的投资回报。显著特点 √ 能在光刻过程中实现100%晶圆检测 √ 最高每小时可检测200片晶圆√ 无需Recipe设置，易于使用√ 取代人工检测√ 支持同时进行晶圆正面和背面检测√ 高性价比的解决方案，可快速获得投资回报√ 支持OC、SMIF、FOUP 高精度宏观缺陷检测 - Rembrandt系列对于有高分辨率需求的客户，MueTec可提供高分辨率的宏观缺陷检测解决方案，其最高分辨率可达1μm。显著特点 √ 较少的Recipe设置：适合有多种不同产品类型的客户√ 取代人工检测 √ 高性价比的解决方案，可快速获得投资回报 √ 同时支持两种照明模式（明场，暗场）带框晶圆检测MueTec用于切割过程控制的检测解决方案，可检测覆盖带边框晶圆的所有区域。适用于检测切割线，划痕，裂纹，芯片缺失和颗粒。检测算法遵循宏观检测产品的无Recipe配置，无需创建特定Recipe即可检测多种不同类型的产品。显著特点 √ 基于FOUP的带边框晶圆搬运设计√ 专为Wafer、Tape和Frame的多区域检测而优化 可检测的缺陷包括：切割道、裂缝、划痕、脏污、Frame和Tape上的孔、气泡、波浪纹等√ 同时进行明场和暗场检测√ 无需Recipe设置，易于使用 √ 可通过定制化Recipe保障生产效率√ 是具有多种不同器件和芯片尺寸的晶圆厂和封装厂的理想选择√ 无需学习对准标记、芯片尺寸或晶圆中心，不需要模具布局数据√ 可自动识别Die区域和EBR区域√ 对于晶圆不同区域可设置不同检测灵敏度√ 自动光强调节√ 无需层反射率检测√ 通过自适应算法可自动调节缺陷识别参数
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晶圆微观缺陷检测
MueTec可在规则或者非规则的缺陷识别、高阶模式识别、对象分析、对象建模、对象过滤算法方向为客户提供定制化的软件及硬件方案，并拥有长期经验。根据需求，可为几乎所有基底分析提供经济高效的定制化解决方案。MueTec提供的SDI算法不仅仅是根据Wafer-to-Wafer原理，检测晶圆的变化，同时支持Die-to-Die检测方式，Die的相关信息也会被同步分析。Die-to-Die检测方式不限制Die尺寸，甚至可以支持到整个晶圆大小。可以通过过滤器定义缺陷尺寸、缺陷区域、缺陷形态、缺陷在芯片或衬底内的位置，进行缺陷分类。
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晶圆红外检测
硅、GaAs晶圆和其他基底可被红外（IR）光透射。MueTec将高性能红外光学与高效红外相机结合，提供具有出色分辨率和对比度的图像。显著特点 √ 光学系统针对1050至1550nm的红外波长进行了设计优化，包括优化的物镜及可选放大倍率√ 高分辨率的红外相机可确保最佳的图像分辨率和最高的对比度图像√ IR优化的照明光路可以切换为入射或透射光√ 支持红外和可见光组合的测量与检测 √ 支持实时激光自动对焦和快速图像自动对焦√ 全球领先的检测技术确保了准确性、重复性MEMS的密封检测根据需求调整光源波长，IRIS产品系列可自动检测影响器件功能的最小细节，例如气泡和裂缝等。MueTec将红外技术与优化的软件解决方案结合，可以检测MEMS的键合和密封。器件缺陷检测IRIS产品系列能够检测和分类器件有效区域中的污染和损坏情况。MueTec获得专利的可见光和红外线照明相结合方案，可以区分表面缺陷与基底内部的缺陷。
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Mask检测
MueTec的掩膜检测使用的是Die-to-Die的方法，检测掩膜上统计类型的缺陷。该系统用于监视在功率半导体、LED和MEMS领域中的晶圆制造使用的掩膜。MueTec的系统可帮助客户确定掩膜状态，是否良好，是否需要清洁或更换。
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