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套刻与关键尺寸测量

行业挑战

  • 01

    关键尺寸持续缩小：先进节点特征尺寸进入纳米级，对 CD 与套刻精度提出极限要求

  • 02

    工艺步骤多膜层叠：上百道工序前后对准，多层薄膜堆叠使套刻监控环节激增

  • 03

    复杂结构适配难：3D NAND、FinFET/GAA 等新结构持续引入新型量测靶标，单一方案难全覆盖

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解决方案

天准以前道晶圆尺寸与套刻精密管控为核心，依托 DaVinci 套刻误差精密量测系统与 MT3000VIS/UV 晶圆量测平台，构建全覆盖、高精度的前道制程量测方案。

  • DaVinci 套刻误差精密量测系统采用创新结构框架与全自动化操作架构，可实现亚纳米级 overlay 套刻量测，支持 200 mm ~ 300 mm 晶圆混合适配；设备内建自动 recipe 生成与 SECS/GEM 通讯，适配智能化量产管控。

  • MT3000 晶圆量测平台面向前道至先进封装全流程，可对最大 200 mm 晶圆自动量测关键线宽（CD）、套刻（overlay）与介质薄膜厚度（thin film）。套刻重复性达 1.5 nm、典型值 1 nm，CD 重复性达 3 nm、典型值 2 nm。搭配高效自动搬运，满足研发验证与大批量量产质量监控。

方案优势

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    超高测量精度：DaVinci 整体精度低至亚纳米级

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    集成量测功能：单平台集成 CD/Overlay/薄膜厚度，支持多尺寸产品

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    成熟稳定可靠：低 COO、易维护、无短周期消耗品，逾十年客户验证

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