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MEMS、Bonding 的制程管控

行业挑战

  • 01

    硅体不透可见光：可见光无法穿透硅基底，键合界面与内部结构难以直接观测

  • 02

    键合空洞难检出：颗粒、污染导致键合空洞（气泡），影响密封与可靠性，需非破坏检测

  • 03

    高掺杂成像难：MEMS 高掺杂晶圆红外成像衰减大，对光学与算法适配要求高

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解决方案

针对 MEMS 与键合制程的非破坏性精密管控需求，天准依托 DaVinci IR 系列与 MT IR(IRIS) 系列红外量检测平台，打造专属制程检测量测方案。

方案利用硅、GaAs 材料在 1050~1550 nm 近红外波段的透明特性，结合高效 InGaAs 相机与可见光/红外组合照明、反射与透射光路设计，可实现非破坏基底透视检测。既能精准检出共晶键合、玻璃键合后的密封缺陷、气泡与裂缝，也可完成键合后的 Overlay 套刻与 CD 关键尺寸量测，实现缺陷检测与精密量测一体化管控。其中 DaVinci 200IR/300IR 适配 200/300 mm 晶圆，IRIS 2100 可覆盖 75~200 mm 全尺寸晶圆，设备均内置 SECS/GEM 通讯协议，满足 MEMS 及键合制程研发验证与规模化量产的智能化、高精度制程管控需求。

方案优势

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    红外穿透检测：1050–1550 nm 透视硅基底，实现内部非破坏检测

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    检测量测一体：密封/器件缺陷与 Overlay/CD 量测一机完成

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    专利双光照明：可见光+红外组合，区分表面与基底内部缺陷

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